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MHU04N60	文件：987.45 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
NDD04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NDD04N60ZG	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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NDF04N60Z	文件：319.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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