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MGD623N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

MGD623N
廠商型號

MGD623N

參數(shù)屬性

MGD623N 封裝/外殼為TO-3P-3 整包;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 50A 150W TO3P

功能描述

IGBT
IGBT 600V 50A 150W TO3P

封裝外殼

TO-3P-3 整包

文件大小

233.96 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Sanken electric
企業(yè)簡稱

Sanken三墾

中文名稱

三墾電氣株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 15:50:00

MGD623N規(guī)格書詳情

MGD623N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由三墾電氣株式會社制造生產(chǎn)的MGD623N晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MGD623N

  • 制造商:

    Sanken

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    75ns/300ns

  • 測試條件:

    300V,50A,39 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 50A 150W TO3P

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TO-247
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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90000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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原裝正品現(xiàn)貨,可開13個點(diǎn)稅
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TO-3P
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樣品可出,原裝現(xiàn)貨
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TO-3P-3L
50000
只做原裝優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存,渠道可追溯
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