首頁>MGB15N35CLT4>詳情

MGB15N35CLT4_PULSECORE/安森美_IGBT 晶體管 15A 350V Ignition百諾芯三部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    MGB15N35CLT4

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    24190

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 11:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：MGB15N35CLT4品牌：ON/安森美

原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 芯片型號(hào)：

    MGB15N35CLT4

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    250.45 kb

  • 資料說明：

    Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    MGB15N35CLT4

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 15A 350V Ignition

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市百諾芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13267201027

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83796429

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)2002A

相近型號(hào)