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MG50G2DM1中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MG50G2DM1
廠商型號(hào)

MG50G2DM1

功能描述

SILICON N CHANNEL MOS TYPE

文件大小

332.96 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 14:33:00

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MG50G2DM1規(guī)格書詳情

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIIONS.

MOTOR CONTROL APPLICATIONS.

FEATURES:

? The Drain is Isolated from Case.

? 2 MOS FETs are Built-in to 1 Package

? with Built-in Free ON Resistance

: RDS(ON) = 0.14 Ω (Max.) (ID = 50A)

? Enhancement-Mode.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MG50G2DM1

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    SILICON N CHANNEL MOS TYPE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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