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MEXY2A563K_電容器 薄膜電容器EMI，RFI 抑制-CDE

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原廠料號(hào)：MEXY2A563K品牌：Cornell Dubilier Electronics (CDE)

資料說(shuō)明：CAP FILM 0.056UF 10% 275VAC RAD

MEXY2A563K是電容器 > 薄膜電容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生產(chǎn)封裝徑向的MEXY2A563K薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲(chǔ)電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF，電壓為 2.5 V 至 100 V，封裝尺寸為 0201 至 1210，容差為 ±0.01 pF 至 ±5％。

  • 芯片型號(hào)：

    mexy2a563k

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    CDE詳情

  • 廠商全稱：

    Cornell Dubilier Electronics

  • 資料說(shuō)明：

    CAP FILM 0.056UF 10% 275VAC RAD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MEXY2A563K

  • 制造商：

    Cornell Dubilier Electronics (CDE)

  • 類別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列：

    MEXY

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±10%

  • 額定電壓 - AC：

    275V

  • 介電材料：

    聚酯，金屬化

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 100°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向

  • 大小 / 尺寸：

    0.689" 長(zhǎng) x 0.177" 寬（17.50mm x 4.50mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.472"（12.00mm）

  • 端接：

    PC 引腳

  • 引線間距：

    0.591"（15.00mm）

  • 應(yīng)用：

    EMI，RFI 抑制

  • 等級(jí)：

    X2，Y2

  • 描述：

    CAP FILM 0.056UF 10% 275VAC RAD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TENTA
23+
DIP
13000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
24+
SMD
3200
十年品牌!原裝現(xiàn)貨!!!
 詢價(jià)
24+
55
本站現(xiàn)庫(kù)存
 詢價(jià)
松木
23+
SOD-323
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
原裝N/A
2023+
SOD-323
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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松木
23+
SOT23-5
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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松木
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SOT23-5
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松木
07+
SOT23-5
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 詢價(jià)
松木
23+
SOT23-5
10000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
松木
23+
SOD323
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)

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