MDS70_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-美高森美

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原廠料號(hào):MDS70品牌:Microsemi Corporation

資料說(shuō)明:RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX

MDS70是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商MICROSEMI/美高森美生產(chǎn)封裝55CX的MDS70晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào):

    mds70

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱(chēng):

    美高森美公司

  • 資料說(shuō)明:

    RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MDS70

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    65V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益:

    10.3dB ~ 11.65dB

  • 功率 - 最大值:

    225W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 500mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55CX

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    55CX

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX

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