MDS150分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MDS150 |
| 參數(shù)屬性 | MDS150 封裝/外殼為55AW；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW |
| 功能描述 | 150 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 - 1090 MHz |
| 封裝外殼 | 55AW |
| 文件大小 |
97.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-16 14:20:00 |
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MDS150屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MDS150晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
GENERAL DESCRIPTION
The MDS150 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for MODE-S systems in the 1030 - 1090 MHz frequency band. The transistor includes double input prematch and output prematch for broadband performance. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting in a hermetically sealed package for proven highest MTTF.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
MDS150
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
60V
- 頻率 - 躍遷：
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
350W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
4A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55AW
- 供應(yīng)商器件封裝：
55AW
- 描述：
RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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