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MDI400-12E4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

MDI400-12E4
廠商型號(hào)

MDI400-12E4
參數(shù)屬性

MDI400-12E4 封裝/外殼為Y3-Li；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
功能描述

IGBT Module
IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
文件大小

81.52 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-28 23:00:00

MDI400-12E4規(guī)格書詳情

MDI400-12E4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MDI400-12E4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

IGBT Module

phaseleg and chopper topolgies

Features

? IGBT

-low saturation voltage

-positive temperature coefficient

-fast switching

-short tail current for optimized

performance in resonant circuits

? HiPerFREDTM diodes

-fast and soft reverse recovery

-low operating forward voltage

-low leakage current

? Package

-low inductive current path

-screw connection to high current

main terminals

-use of non interchangeable

connectors for auxiliary terminals

possible

-kelvin emitter terminal for easy drive

-isolated ceramic base plate

Applications

? drives

-AC

-DC

? power supplies

-rectifiers with power factor

correction

and recuperation capability

-UPS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MDI400-12E4

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 配置：

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，300A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    Y3-Li

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    Y3-Li

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI

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