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MDF10N055TH

Single N-channel Trench MOSFET 100V 5.5mΩ 80A

Generaldescription TheMDF10N055THusesadvancedMagnachip’sMOSFET Technology,whichprovideshighperformanceinon-state resistance,fastswitchingperformance,andexcellentquality. Thesedevicescanalsobeutilizedinindustrialapplications suchasSynchronousRectificationandgene

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP10N055

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDP10N055

SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,5.5m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP10N055TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=130A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多MDF10N055TH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 16:50:00

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