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MD918B中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MD918B
廠商型號

MD918B

功能描述

MULTIPLE SILICON ANNULAR TRANSISTORS

文件大小

107.79 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-25 23:00:00

MD918B規(guī)格書詳情

MULTIPLE SILICON ANNULAR TRANSISTORS

. . . designed for UM at differential amplifiers, dual high frequency amplifier!, front end detectors and temperature compensation applications

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage —

VCE(sat) = 0.2 Vdc (Max) @ IC = 10 mAdc

? DC Current Gain - 50 (Min) @ IC = 3.0 mAdc

? High Current-Gain - Bandwidth Product -

fT = 600 MHz @ IC = 4.0 mAdc

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MD918B

  • 制造商:

    CENTRAL

  • 制造商全稱:

    Central Semiconductor Corp

  • 功能描述:

    Dual Transistors

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MOSA
23+
NA/
480
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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整流模塊95A800V
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萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
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