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MCZ33285EF集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MCZ33285EF
廠商型號(hào)

MCZ33285EF

參數(shù)屬性

MCZ33285EF 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

功能描述

Dual High-Side TMOS Driver

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

317.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

freescale飛思卡爾

中文名稱(chēng)

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 15:16:00

MCZ33285EF規(guī)格書(shū)詳情

Dual High-Side TMOS Driver

A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance the Gate voltage of both FETs.

Features

? PWM Capability

? Power TMOS Number One (OUT1) Short-Circuit Detection and Short-Circuit Protection

? Voltage Range 7.0 V ≤ 40 V

? Extended Temperature Range from -40°C ≤ 125°C

? Load Dump Protected

? Overvoltage Detection and Activation of OUT2 During Overvoltage

? Single Input Control for Both Output Stages

? Capacitor Value of 100 nF Connected to Pin CP

? Analog Input Control Measurement Detection

? OUT1 LOAD Leakage Measurement Detection

? Pb-Free Packaging Designated by Suffix Code EF

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MCZ33285EF

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    高端

  • 通道類(lèi)型:

    同步

  • 柵極類(lèi)型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    7V ~ 40V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.7V,1.7V

  • 輸入類(lèi)型:

    非反相

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FREESCALE
22+
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9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
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