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MMBT3906

PNPGeneralPurposeAmplifier

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Capableof300mWattsofPowerDissipation ?Marking:2A

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MMBT3906

SMALLSIGNALTRANSISTORS(PNP)

FEATURES ?PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. ?Ascomplementarytype,theNPN transistorMMBT3904isrecommended. ?ThistransistorisalsoavailableintheTO-92casewith thetypedesignation2N3906.

GE

GE Industrial Company

MMBT3906

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?ComplementaryNPNType:MMBT3904 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

MMBT3906

GeneralPurposeTransistor(PNP)

PNPSiliconType Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

MMBT3906

PNPGeneralPurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MMBT3906

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

MMBT3906

PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR

VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES ?PNPepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=-40V ?CollectorcurrentIC=-200mA ?BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

MMBT3906

30.3WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

MMBT3906

SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors

SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreel

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

MMBT3906

PNPGeneralPurposeTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904). ●CollectorCurrentCapabilityICM=-200mA. ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MCP3906A-E/SS

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    集成電路（IC） > 電能計量

  • 包裝：

    管件

  • 輸入阻抗：

    390 千歐

  • 測量誤差：

    0.1%

  • 電壓 - I/O 高：

    2.4V

  • 電壓 - I/O 低：

    0.85V

  • 電流 - 供電：

    2.7mA

  • 表計類型：

    Single Phase

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    24-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    24-SSOP

  • 描述：

    IC ENERGY METERING 24SSOP

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更多MCP3906A-E/SS供應商 更新時間2025-6-30 23:00:00

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