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MC34151DR2G_集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：MC34151DR2G品牌：onsemi

資料說(shuō)明：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

MC34151DR2G是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的MC34151DR2G柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào)：

    mc34151dr2g

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MC34151DR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    低端

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    6.5V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.6V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.5A，1.5A

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    31ns，32ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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