MC33151DR2_集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:MC33151DR2品牌:onsemi

資料說明:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

MC33151DR2是集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)的MC33151DR2柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號:

    mc33151dr2

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    MC33151DR2

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    6.5V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.6V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    31ns,32ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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