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MBT3904DW1T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MBT3904DW1T1G
廠商型號

MBT3904DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

138.28 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-6 16:59:00

MBT3904DW1T1G規(guī)格書詳情

The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin?off of our popular SOT?23/SOT?323 three?leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT?363 six?leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low?power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? hFE, 100?300

? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? Available in 8 mm, 7?inch/3,000 Unit Tape and Reel

? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MBT3904DW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
2024
SOT363
10712
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價
ON
22+
SC70
2789
原裝優(yōu)勢!絕對公司現(xiàn)貨!
詢價
ON/安森美
22+
SC70-6
3000
原裝正品,支持實單
詢價
ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
ON
1717+
SOT23
30000
ON專營→可提供17發(fā)票
詢價
ON/安森美
21+
SOT-363
8080
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
ON(安森美)
23+
標準封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
ON/安森美
23+
SOT-363
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價
ON
21+
SOT23
378000
詢價
NA
23+
NA
26094
10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品,做服務(wù)型企業(yè)
詢價