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MBT3904DW1T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MBT3904DW1T1G
廠商型號(hào)

MBT3904DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

105.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-6 16:28:00

MBT3904DW1T1G規(guī)格書(shū)詳情

The MBT3904DW1T1 and MBT3904DW2T1 devices are a spin-of f of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? hFE, 100-300

? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? Available in 8 mm, 7-inch/3,000 Unit Tape and Reel

? Pb-Free Packages are Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MBT3904DW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
23+
589610
新到現(xiàn)貨 原廠一手貨源 價(jià)格秒殺代理!
詢(xún)價(jià)
Onsemi
23+
SOT363
15000
只做原裝正品,假一罰十。
詢(xún)價(jià)
2018+
26976
代理原裝現(xiàn)貨/特價(jià)熱賣(mài)!
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
1944+
NA
199
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
22+
SMD
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
詢(xún)價(jià)
ONSEMI
22
SOP12
68400
全新、原裝
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
22+
SMD
50000
只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢(xún)
詢(xún)價(jià)
ONSemiconductor
2021+
N/A
6800
只有原裝正品
詢(xún)價(jià)
原裝
24+
標(biāo)準(zhǔn)
41410
熱賣(mài)原裝進(jìn)口
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
2023+
80000
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
詢(xún)價(jià)