MBR835RL分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MBR835RL |
| 參數(shù)屬性 | MBR835RL 封裝/外殼為DO-201AA，DO-27，軸向；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD |
| 功能描述 | Axial Lead Rectifiers |
| 封裝外殼 | DO-201AA，DO-27，軸向 |
| 文件大小 |
138.45 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-25 17:08:00 |
MBR835RL規(guī)格書詳情
MBR835RL屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MBR835RL二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動，并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管（包括齊納二極管和可變電容二極管）單獨列在各自的產(chǎn)品系列中，每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。
Axial Lead Rectifiers
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal?to?silicon power diode. State?of?the?art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low?voltage, high?frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.
? High Current Capability
? Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
? Low Power Loss/High Efficiency
? Highly Stable Oxide Passivated Junction
? Guard?Ring for Stress Protection
? Low Forward Voltage
? High Surge Capacity
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MBR835RL
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 包裝：
散裝
- 二極管類型：
肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io)：
8A
- 速度：
快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
DO-201AA，DO-27，軸向
- 供應(yīng)商器件封裝：
軸向
- 工作溫度 - 結(jié)：
-65°C ~ 125°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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