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MBR12030CT中文資料GENESIC數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MBR12030CT |
| 參數(shù)屬性 | MBR12030CT 封裝/外殼為雙塔架；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列；產(chǎn)品描述：DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER |
| 功能描述 | Silicon Power Schottky Diode |
| 文件大小 |
465.54 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
GENESIC |
| 中文名稱 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-2 15:20:00 |
MBR12030CT規(guī)格書詳情
Features
? High Surge Capability
? Types from 20 V to 40 V VRRM
? Not ESD Sensitive
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MBR12030CT
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列
- 包裝：
散裝
- 二極管配置：
1 對(duì)共陰極
- 二極管類型：
肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：
120A（DC）
- 速度：
快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作溫度 - 結(jié)：
-55°C ~ 150°C
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
雙塔架
- 供應(yīng)商器件封裝：
雙塔架
- 描述：
DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
24+ |
模塊 |
28500 |
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售 |
詢價(jià) | ||
NSL |
2022+ |
120A/30V |
1500 |
長期供應(yīng),價(jià)格優(yōu)勢,全新原裝,支持實(shí)單, |
詢價(jià) | ||
GeneSiC Semiconductor |
22+ |
Twin Tower |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
GeneSiCSemiconductor |
23+ |
DIODEMODULE30V120AD-67 |
1715 |
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA |
2023+ |
MODULE |
80000 |
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IXFN |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
NSL |
23+ |
120A30V |
13000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
GeneSiC Semiconductor |
24+ |
雙塔架 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) |
