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MBR115P中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MBR115P
廠商型號

MBR115P

功能描述

AXIAL LEAD RECTIFIERS

文件大小

133.83 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-9 20:00:00

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MBR115P規(guī)格書詳情

AXIAL LEAD RECTIFIERS

. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial consrjction with oxide passivation and metal overlap contact.

Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.

? Extremely Low VF

? Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction

? Low Power Loss/High Efficiency

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
KEFAN/科范微
24+
NA/
115240
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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模塊原裝主營-可開原型號增稅票
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絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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