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MJD253

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD253

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD253

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD253

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD253

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD253

SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowCollector?EmitterSaturationVoltage,HighCurrent?Gain. Applications Lowpoweraudioamplifier,Lowcurrent,highspeedswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

MJD253

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=-0.2A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.3V(Max.)@IC=-0.5A ?ComplementtotheNPNMJD243 ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS ?Designedfo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MJD253

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-0.3V(Max)@IC=-0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MJD253

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-0.3V(Max)@IC=-0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MJE253

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION Thecentralsemiconductormje240,mje250seriestypesarecomplementarysiliconpowertransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

詳細參數

  • 型號：

    MAX253EUA-T

  • 功能描述：

    功率驅動器IC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Micrel

  • 產品：

    MOSFET Gate Drivers

  • 類型：

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 電源電壓-最大：

    30 V

  • 電源電壓-最小：

    2.75 V

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-8

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MAXIM
23+
NA
25060
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
MAXIM
19+
DIP
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
MAXIM
18+
CDIP
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
Maxim現貨
2022+
CDIP8
350000
專注工業(yè)、軍工級別芯片,十五年優(yōu)質供應商
 詢價
Maxim Integrated
24+
8-CERDIP
65200
一級代理/放心采購
 詢價
MAXIM/美信
23+
DIP
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
 詢價
MAXIM
20+
DIP-8
1001
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
MAXIM/美信
23+
DIP
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
 詢價
Maxim
22+
8CERDIP
9000
原廠渠道,現貨配單
 詢價
MAXIM
23+
8-cdip(0.300" 7.62mm)
35500
原裝正品現貨庫存QQ:2987726803
 詢價
更多MAX253EUA-T供應商 更新時間2025-4-9 14:52:00

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