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MAGX-000912-250L00

GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 250W Peak, 960-1215 MHz, 128關(guān)s Pulse, 10 Duty

ProductDescription TheMAGX-000912-250L00isagoldmetalizedmatchedGalliumNitride(GaN)onSiliconCarbideRFpowertransistoroptimizedforcivilianandmilitarypulsedavionicsamplifierapplicationsthe960MHzto1215MHzrangesuchasMode-S,TCAS,JTIDS,DMEandTACAN.Usingstateof

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M/A-COM Technology Solutions, Inc.

MAGX-000912-250L00

GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor

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包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ

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MAGX-000912-250L00_15

GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MAGX-000912-250L00

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    HEMT

  • 增益:

    18.6dB

  • 額定電流(安培):

    8.6A

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 描述:

    TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ

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本公司只售原裝 支持實(shí)單
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原裝正品,支持實(shí)單
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