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M5M51008BKR-10VL中文資料三菱電機數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M5M51008BKR-10VL
廠商型號

M5M51008BKR-10VL

功能描述

1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM

文件大小

68.53 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

Mitsubishi三菱電機

中文名稱

三菱電機株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-26 16:05:00

M5M51008BKR-10VL規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR are a 1048576-bit CMOS static RAM organized as 131072 word by 8-bit which are

fabricated using high-performance triple polysilicon CMOS technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS periphery result in a high density and low power static RAM. They are low standby current and low operation current and ideal for the battery back-up application.

FEATURES

Package

Low stand-by current 0.3μA (typ.)

Directly TTL compatible : All inputs and outputs

Easy memory expansion and power down by S1,S2

Data hold on +2V power supply

Three-state outputs : OR - tie capability

OE prevents data contention in the I/O bus

Common data I/O

M5M51008BFP ············ 32pin 525mil SOP

M5M51008BVP,RV············ 32pin 8 X 20 mm2 TSOP

M5M51008BKV,KR ············ 32pin 8 X 13.4 mm2 TSOP

APPLICATION

Small capacity memory units

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    M5M51008BKR-10VL

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
TSOP
35200
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24+
3000
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