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M3016316035NX0IBCY

Parallel MRAM Memory x16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

M3016316035NX0IBCY

Package：48-LFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：16MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

M3016316035NX0IBCR

ParallelMRAMMemoryx16

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M3016316035NX0ITBR

ParallelMRAMMemoryx16

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M3016316035NX0ITBY

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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M3016316035NX0PBCR

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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M3016316035NX0PBCY

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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瑞薩瑞薩科技有限公司

M3016316035NX0PTBR

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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M3016316035NX0PTBY

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    M3016316035NX0IBCY

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    RAM

  • 技術(shù)：

    MRAM（磁阻式 RAM）

  • 存儲容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    35ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-LFBGA

  • 供應商器件封裝：

    48-FBGA（10x10）

  • 描述：

    16MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Renesas Electronics Corporatio
23+/24+
48-LFBGA
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
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Renesas Electronics America In
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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520
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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更多M3016316035NX0IBCY供應商 更新時間2025-5-5 15:38:00

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