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M29W800DB70ZE6F中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M29W800DB70ZE6F
廠商型號

M29W800DB70ZE6F

參數(shù)屬性

M29W800DB70ZE6F 封裝/外殼為48-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

功能描述

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

文件大小

651.39 Kbytes

頁面數(shù)量

41

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-19 22:59:00

M29W800DB70ZE6F規(guī)格書詳情

The M29W800D is a 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply.

On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same way as a ROM or EPROM.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    M29W800DB70ZE6F TR

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    8Mb(1M x 8,512K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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