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MMBD1204

SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES

Case:SOT-23MoldedPlastic OperatingTemperature:-65°Cto150°C

JGDJinan Gude Electronic Device

濟(jì)南固锝電子濟(jì)南固锝電子器件有限公司

MMBD1204

HighConductanceUltraFastDiode

HighConductanceUltraFastDiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

MMBD1204

SmallSignalDiodes

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBD1204

HighConductanceUltraFastDiode

HighConductanceUltraFastDiode SourcedfromProcess1P.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBD1204

SmallSignalDiodes

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

MS1204

RFANDMICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS

DESCRIPTION: TheSD1019isa28voltepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforVHFcommunications.ThisdeviceutilizesnichromealuminummetallizationtoachieveinfiniteVSWRatratedoperatingconditions. Features ●CLASSCTRANSISTOR ●FREQUENCY136MHz ●VOLTAGE28V

ADPOW

Advanced Power Technology

NUS1204MN

OvervoltageProtectionICwithIntegratedMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVR-1204

Recordingupto10MPresolution

LVL1

Level One

OPB1204

SiliconPhotoTransistor

Structure 1.1ChipSize:1.2mmX0.45mm 1.2Chipthickness:230±20um 1.3Metallization:Top-Al(2um),Bottom-Au 1.4BackMetal:Au(1,000?) 1.5Passivation:SiliconNitride 1.6BondingPadSize -Emitter:130um -Base:60umX60um

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

PCP1204

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorDC/DCConverterApplications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses. ?Highcurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?Highspeedswitching. ?Highallowablepowerdissipation. ?Halogenfreecompliance. Applications ?DC/DCconverters,relayd

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

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更多M1204供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-21 16:00:00

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