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LTE42005S中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LTE42005S
廠商型號

LTE42005S

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

52.9 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-2 16:30:00

LTE42005S規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT440A metal ceramic flange package with the emitter connected to the flange.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors provide excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime

? Input matching cell improves input impedance and allows an easier design of circuits

APPLICATION

? Common emitter class-A linear power amplifiers up to 4.2 GHz.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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