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LT5519EUF

0.7GHz to 1.4GHz High Linearity Upconverting Mixer

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT5519EUF#PBF

包裝：托盤 封裝/外殼：16-WQFN 裸露焊盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻混頻器 描述：IC MIXER 700MHZ-1.4GHZ UP 16QFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LT5519EUF#TRPBF

包裝：卷帶（TR）帶 封裝/外殼：16-WQFN 裸露焊盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻混頻器 描述：IC MIXER 700MHZ-1.4GHZ UP 16QFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

MA5519-AL

720WPlanarTransformer

COILCRAFTCoilcraft lnc.

線藝美國線藝公司

MLL5519B

LowVoltageSurfaceMount500mWAvalancheDiodes

?1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 ?ZENERDIODE,500mW ?LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT ?LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS ?METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

NTE5519

SiliconControlledRectifier(SCR)

NTE

NTE Electronics

SI5519DU

N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFETs APPLICATIONS ?PortableDC-DCApplications OrderingInformation:Si5519DU-T1-GE3(Lead(Pb)-freeandHalogen-free)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI5519DU

N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SR5519

434.42MHzOnePortSAWResonator

VANLONGVanlong Technology Co., Ltd.

萬隆科技萬隆科技股份有限公司

SZ5519

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

SZ5519

3WSiliconZenerDiodes

Features ◇CompleteVoltageRange3.9to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

SZ5519

3WattsSurfaceMountZenerDiodes

Features ●CompleteVoltageRange3.9to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

SZ5519

3W19VZenerdiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行

SZ5519

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.9to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

SZ5519

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.9to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

TM5519

RFAMPLIFIER

SPECTRUM

Spectrum Instrumentation GmbH

TM5519

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

TN5519

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

UZ5519

ElectricalSpecificationsat25oC

ZenerDiodes ElectricalSpecificationsat25°C

AMMSEMI

American Microsemiconductor

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    LT5519EUF

  • 功能描述：

    IC MIXER UPCONV .7-1.4GHZ 16QFN

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    RF/IF 和 RFID >> RF 混頻器

  • 系列：

    LT5519

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：

    Lead(SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    100

  • 系列：

    - RF

  • 型：

    W-CDMA

  • 頻率：

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 混頻器數(shù)目：

    1

  • 增益：

    17dB

  • 噪音數(shù)據(jù)：

    2.2dB

  • 次要屬性：

    - 電流 -

  • 電源：

    11.7mA

  • 電源電壓：

    2.7 V ~ 3.3 V

  • 包裝：

    托盤

  • 封裝/外殼：

    12-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    12-QFN-EP（3x3）

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Analog Devices
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更多LT5519EUF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 11:42:00

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