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MBR3065	文件：103.79 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MBR3065BCT	文件：1.6143 Mbytes Page：3 Pages	30ASurfaceMountHighPowerSchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
MBR3065CT	文件：99.69 Kbytes Page：3 Pages	30AHighPowerSchottkyBarrierRectifiers Features ?Lowpowerloss,highefficiency. ?Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. ?Highsurgecapability. ?Guardringforovervoltageprotection. ?Ultrahigh-speedswitching. ?Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. ?SuffixGindicatesHalogen-freepart,ex	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MBR3065CT-J	文件：1.65021 Mbytes Page：3 Pages	30AHighPowerSchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
MBR3065PT	文件：989.7 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features Lowpowerloss,highefficiency. Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. Highsurgecapability. Guardringforovervoltageprotection. Ultrahigh-speedswitching. Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. SuffixHindicatesHalogen-freepart,ex.MBR3040BCTH.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
NCE3065G	文件：669.33 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Gusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications.Application ●DC/DCConverter ●Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous rectificatio	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3065K	文件：617.25 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=65A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3065Q	文件：727.88 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Qusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications.Application ●DC/DCConverter ●Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous rectification	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCEP3065BQU	文件：808.94 Kbytes Page：5 Pages	LMN-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
NCP3065	文件：241.61 Kbytes Page：18 Pages	Upto1.5AConstantCurrentSwitchingRegulatorforLEDs	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCP3065MNTXG	文件：241.61 Kbytes Page：18 Pages	Upto1.5AConstantCurrentSwitchingRegulatorforLEDs	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NUS3065MU	文件：110.96 Kbytes Page：10 Pages	LowProfileOvervoltageProtectionICwithIntegratedMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NUS3065MUTAG	文件：110.96 Kbytes Page：10 Pages	LowProfileOvervoltageProtectionICwithIntegratedMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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PCDH3065CCGB	文件：358.22 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features ?TemperatureIndependentSwitchingBehavior ?HighSurgeCurrentCapability ?CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent ?LowConductionLoss ?ZeroReverseRecovery ?Highjunctiontemperature175oC ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PCDH3065CCGC	文件：431.1 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features ?TemperatureIndependentSwitchingBehavior ?HighSurgeCurrentCapability ?LowSwitchingLoss ?ZeroReverseRecovery ?Highjunctiontemperature175oC ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard Application ?PFC,UPS,PV	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT

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更多LT3065IMSE供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 13:00:00

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