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LND150N8-G中文資料ZHAOXINGWEI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LND150N8-G
廠商型號

LND150N8-G

功能描述

N- Channel Depletion Mode MOSFETS

文件大小

3.38782 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Zhaoxingwei Electronics ., Ltd
企業(yè)簡稱

ZHAOXINGWEI

中文名稱

Zhaoxingwei Electronics ., Ltd官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-14 15:30:00

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LND150N8-G規(guī)格書詳情

Features

? Halogen and Antimony Free

? Depletion Mode

? ESD improved Capability

? VDS= 500V,ID= 0.03A

RDS(on)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    LND150N8-G

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 1KOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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