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LM5113SDX/NOPB

LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM5113SDX/NOPB

Package：10-WDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

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LM5113SDXSLASHNOPB

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

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LM5113TME

5A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

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LM5113TME

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

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LM5113TME/NOPB

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

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LM5113TMESLASHNOPB

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

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LM5113TMX

5A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

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LM5113TMX

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

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LM5113TMX/NOPB

LM51135A,100VHalf-BridgeGateDriverforEnhancementModeGaNFETs

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    LM5113SDX/NOPB

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    1.76V，1.89V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.2A，5A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    7ns，1.5ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    10-WDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    10-WSON（4x4）

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TI(德州儀器)
23+
WSON-10(4x4)
4079
深耕行業(yè)12年,可提供技術支持。
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TI(德州儀器)
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WSON
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原裝正品,支持實單
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10000
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原廠原裝
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TI(德州儀器)
10000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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更多LM5113SDX/NOPB供應商 更新時間2025-2-27 17:06:00

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