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LM358WDT	文件：300.64 Kbytes Page：16 Pages	Low Power Dual Operational Amplifiers Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedwhichweredesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage. App	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
LM358WDT	文件：354.5 Kbytes Page：6 Pages	SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT Description TheUniversalStandardfamilyLM358/324,LM2904/2902monolithicICsintegratetwoindependentop-ampsandphasecompensationcapacitorsonasinglechip andfeaturehigh-gain,lowpowerconsumption,andanoperatingvoltagerangeof3[V]to32[V](singlepowersupply.) Features	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
LM358WDT	文件：307.03 Kbytes Page：20 Pages	Low power dual operational amplifiers Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedwhichweredesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage. App	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
LM358WDT	文件：326.23 Kbytes Page：18 Pages	Low power dual operational amplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
LM358WDT	文件：974.27 Kbytes Page：18 Pages	SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
LM358WN	文件：300.64 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerDualOperationalAmplifiers Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedwhichweredesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage. App	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
LM358WN	文件：307.03 Kbytes Page：20 Pages	Lowpowerdualoperationalamplifiers Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedwhichweredesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage. App	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
LM358WN	文件：326.23 Kbytes Page：18 Pages	Lowpowerdualoperationalamplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
LM358WPR	文件：974.27 Kbytes Page：18 Pages	SIGNATURESERIESOperationalAmplifiers	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
LM358WPT	文件：354.5 Kbytes Page：6 Pages	SILICONMONNOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT Description TheUniversalStandardfamilyLM358/324,LM2904/2902monolithicICsintegratetwoindependentop-ampsandphasecompensationcapacitorsonasinglechip andfeaturehigh-gain,lowpowerconsumption,andanoperatingvoltagerangeof3[V]to32[V](singlepowersupply.) Features	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
LM358WPT	文件：974.27 Kbytes Page：18 Pages	SIGNATURESERIESOperationalAmplifiers	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
LM358WSR	文件：974.27 Kbytes Page：18 Pages	SIGNATURESERIESOperationalAmplifiers	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
LM358WYD	文件：307.03 Kbytes Page：20 Pages	Lowpowerdualoperationalamplifiers Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedwhichweredesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage. App	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
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LM358WYDT	文件：307.03 Kbytes Page：20 Pages	Lowpowerdualoperationalamplifiers Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedwhichweredesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage. App	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
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LM358WYPT	文件：307.03 Kbytes Page：20 Pages	Lowpowerdualoperationalamplifiers Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedwhichweredesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage. App	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
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詳細參數(shù)

型號：
LM358WDT
功能描述：
運算放大器 - 運放 2 circuits; 3 to 32V 0 to +70 Op Temp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道數(shù)量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
輸入補償電壓：
1 mV
輸入偏流（最大值）：
10 pA
工作電源電壓：
2.7 V to 5.5 V
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
QFN-16
轉(zhuǎn)換速度：
0.89 V/us
關(guān)閉：
No
輸出電流：
55 mA
最大工作溫度：
+ 125 C
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳和潤天下電子科技有限公司	LM358WDT	ST/意法半導(dǎo)體	22+	SO-8	6002	原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票	詢價
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