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LLE15370X中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

LLE15370X
廠商型號(hào)

LLE15370X

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

85.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-16 22:59:00

LLE15370X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT437A glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors

providing excellent current sharing

and withstanding a high VSWR

? Interdigitated structure provides

high emitter efficiency

? Gold metallization realizes very

good stability of the characteristics

and excellent lifetime

? Multicell geometry gives good

balance of dissipated power and

low thermal resistance

? Internal input and output

prematching ensures good stability

and allows an easier design of

wideband circuits.

APPLICATION

Intended for use in common emitter, class AB amplifiers in CW conditions for professional applications between 1.4 GHz and 1.6 GHz.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP/恩智浦
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