LCP152DEE電路保護(hù)的TVS-晶閘管規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
LCP152DEE |
參數(shù)屬性 | LCP152DEE 封裝/外殼為6-SMD,扁平引線;包裝為散裝;類別為電路保護(hù)的TVS-晶閘管;產(chǎn)品描述:THYRISTOR 100A 6QFN |
功能描述 | PROGRAMMABLE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION |
封裝外殼 | 6-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
125.76 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-29 17:08:00 |
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LCP152DEE規(guī)格書詳情
LCP152DEE屬于電路保護(hù)的TVS-晶閘管。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的LCP152DEETVS - 晶閘管基于晶閘管的瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 器件可用于提供過壓保護(hù),在正常工作條件下近似于開路。在這些器件兩端施加超過某個(gè)特定值的電壓(稱為擊穿電壓),可使它們進(jìn)入近似于短路的導(dǎo)通狀態(tài)。?這種狀態(tài)一直持續(xù)至流過器件的電流因電路中的一些外部影響而降低到稱為“保持電流”的最小值以下。
Description
These devices have been especially designed to protect new high voltage, as well as classical SLICs, against transient overvoltages.
Positive overvoltages are clamped by 2 diodes. Negative surges are suppressed by 2 thyristors, their breakdown voltage being referenced to -VBAT through the gate.
Features
■ Dual programmable transient suppressor
■ Wide negative firing voltage range: VMGL= -150 V max.
■ Low dynamic switching voltages: VFPand VDGL
■ Low gate triggering current: IGT= 5 mA max
■ Peak pulse current: IPP= 30 A (10/1000 μs)
■ Holding current: IH= 150 mA min
■ Low space consuming package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
LCP152DEERL
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
電路保護(hù) > TVS - 晶閘管
- 系列:
LCP
- 包裝:
散裝
- 電容:
35pF
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
6-SMD,扁平引線
- 描述:
THYRISTOR 100A 6QFN
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
2016+ |
SOP-8 |
6523 |
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詢價(jià) | ||
ST |
2025+ |
SOP-8 |
3645 |
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詢價(jià) | ||
STM |
23+ |
SOP-8 |
10500 |
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24+ |
原裝 |
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STM |
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STM |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
SOIC-8 |
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ST |
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ST |
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