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LBCW70LT1G	文件：344.26 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
BAS70LT1	文件：45.87 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespa	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS70LT1	文件：72.05 Kbytes Page：4 Pages	CASE31808,STYLE8SOT23(TO236AB) SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespa	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BAS70LT1	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBarrierDiode SCHOTTKYBarrierDiode TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespac	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
BAS70LT1	文件：47.19 Kbytes Page：3 Pages	70VOLTSSCHOTTKYBARRIERDIODES	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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BAS70LT1G	文件：45.87 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespa	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS70LT1G	文件：88.82 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitching applications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylow forwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemount packageisexcellentforhandheldandportableapplicationswhere	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS70LT1G	文件：131.99 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodesExtremelyFastSwitchingSpeedLowForwardVoltage	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS70LT1G	文件：184.2 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitching applications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylow forwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemount packageisexcellentforhandheldandportableapplicationswhere spaceislimited. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS70LT1G	文件：164.88 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAV70LT1	文件：158.25 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode FEATURES ■Powerdissipation,PD:225mW(Tamb=25℃) ■ForwardCurrent,IF:200mA ■ReverseVoltage,VR:70V ■Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,Tstg:-55℃to+150℃ ■SOT-23Plastic-Encapsulatepackage	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
BAV70LT1	文件：369.3 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes(SWITCHINGDIODE) SWITCHINGDIODE FEATURES ?FastSwitchingSpeed ?ForGeneralPurposeSwitchingApplications ?HighConductance	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BAV70LT1	文件：223.7 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+15℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
BAV70LT1	文件：130.1 Kbytes Page：4 Pages	DualSwitchingDiodeCommonCathode Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101Qualifiedand PPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAV70LT1	文件：81.3 Kbytes Page：4 Pages	CASE318-08,STYLE9SOT-23(TO-236AB) MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BAV70LT1	文件：55.64 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode Features ?Pb?FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAV70LT1	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
BAV70LT1	文件：102.76 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+15℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAV70LT1	文件：52.62 Kbytes Page：4 Pages	DualSwitchingDiodeCommonCathode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
LBCW70LT1G
制造商：
LRC
制造商全稱：
Leshan Radio Company
功能描述：
General Purpose Transistors PNP Silicon

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	LBCW70LT1G	LRC	24+	SOT-23	6000		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	LBCW70LT1G	LRC	23+	NA	25060	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	LBCW70LT1G		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	LBCW72LT1G	LRC	22+	SOT-23	7922	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	LBCX19LT1G	LRC	22+	SOT-23	5000	原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!!	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	LBCX19LT1G	LRC	23+	SOT-23	15000	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	LBCX19LT1G三極管	LRC/樂山	2023+	SOT-23	50000	AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	LBCX20LT1G	LRC/樂山	23+	SOT-23	13000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	LBD	N/A	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	LBD	N/A	23+	NA/	3332	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票	詢價(jià)

更多LBCW70LT1G供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 10:00:00

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