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LAE4002S中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LAE4002S
廠商型號

LAE4002S

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

48.51 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-21 23:00:00

LAE4002S規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT100 metal ceramic package with emitter connected to the metallized lid. A miniature ceramic encapsulation is used for compatibility with stripline microwave circuits.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors

? Self-aligned process entirely ion implanted and gold sandwich metallization

? Optimum temperature profile

? Excellent performance and reliability.

APPLICATIONS

Common emitter class A linear power amplifiers up to 4 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    LAE4002S

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    NPN microwave power transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
LATTICE(萊迪思)
23+
CABGA381
7350
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LATTICE
22+
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Lattice Semiconductor
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BGA381
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