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L6399DTR集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

L6399DTR
廠商型號

L6399DTR

參數(shù)屬性

L6399DTR 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

功能描述

High voltage high and low-side driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

345.39 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-10 14:35:00

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L6399DTR規(guī)格書詳情

L6399DTR屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的L6399DTR柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Features

? High voltage rail up to 600 V

? dV/dt immunity ± 50 V/ns over full temperature

range

? Driver current capability:

– 290 mA source

– 430 mA sink

? Switching times 75/35 ns rise/fall with 1 nF load

? 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis

? Integrated bootstrap diode

? Internal 320 ns deadtime

? Interlocking function

? Compact and simplified layout

? Bill of material reduction

? Flexible, easy and fast design

Description

The L6399 is a high voltage device manufactured

using BCD? “offline” technology. It is a singlechip

half bridge gate driver for N-channel power

MOSFETs or IGBTs.

The high-side (floating) section is designed to

withstand a voltage rail up to 600 V. The logic

inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3 V

for easy microcontroller/DSP interfacing.

Applications

? Home appliances

? Industrial applications and drives

? Motor drivers DC, AC, PMDC and PMAC

motors systems

? HVAC

? Factory automation

? Power supply systems

? Compressors

? Fans

? Lighting applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    L6399DTR

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.1V,1.9V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    290mA,430mA

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    75ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導(dǎo)體
21+
SO-8
8080
只做原裝,質(zhì)量保證
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ST(意法)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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ST(意法半導(dǎo)體)
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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6000
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ST/意法半導(dǎo)體
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