L6385E集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
L6385E |
| 參數(shù)屬性 | L6385E 封裝/外殼為8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
| 功能描述 | High-voltage high and low side driver |
| 封裝外殼 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 文件大小 |
199.99 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-9 9:38:00 |
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L6385E規(guī)格書詳情
L6385E屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的L6385E柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
Description
The L6385E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.
Features
■ High voltage rail up to 600V
■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range
■ Driver current capability:
– 400mA source,
– 650mA sink
■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load
■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down
■ Under voltage lock out on lower and upper driving section
■ Internal bootstrap diode
■ Outputs in phase with inputs
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
L6385E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 驅(qū)動配置：
半橋
- 通道類型：
獨立式
- 柵極類型：
IGBT，N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
17V（最大）
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
1.5V，3.6V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
400mA，650mA
- 輸入類型：
反相
- 上升/下降時間（典型值）：
50ns，30ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-DIP
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
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