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KSMU7N10	文件：1.17711 Mbytes Page：8 Pages	100V N-Channel MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU7N10L	文件：1.1856 Mbytes Page：8 Pages	100V LOGIC N-Channel MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
7N10	文件：170.23 Kbytes Page：6 Pages	7Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N10	文件：224.23 Kbytes Page：6 Pages	7A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N10G-TND-R	文件：262.79 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N10L-TND-R	文件：262.79 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N10Z	文件：219.08 Kbytes Page：5 Pages	7A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
FQB7N10	文件：548.34 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB7N10L	文件：556.34 Kbytes Page：9 Pages	100VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD7N10	文件：1.26409 Mbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features ?RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
FQD7N10	文件：305.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQD7N10	文件：595.38 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD7N10	文件：544.88 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD7N10L	文件：549.99 Kbytes Page：9 Pages	100VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD7N10L	文件：1.18054 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET100V,5.8A,350m GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD7N10L	文件：539.37 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD7N10L	文件：1.01045 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FQD7N10LTF	文件：1.18054 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET100V,5.8A,350m GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD7N10LTM	文件：539.37 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD7N10LTM	文件：1.21472 Mbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	KSMU7N60	KERSEMI	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	KSMU7N60	KERSEMI	TO-251	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	KSMU7N60	KERSEMI	22+	TO-251	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	KSMU7N60	KERSEMI	24+	TO-251	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	KSN-1016A-219	MINI-CIRCUITS	23+	null	13000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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深圳市湘達電子有限公司	KSN-1024A+	MINI-CIRCUITS	20+	NA	12800	全新原裝現(xiàn)貨,一片也是批量價。	詢價

更多KSMU7N10供應(yīng)商更新時間2024-10-26 10:05:00

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