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KSE800分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

KSE800
廠商型號

KSE800

參數(shù)屬性

KSE800 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3

功能描述

Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors

文件大小

55.66 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-1 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    KSE800

  • 別名:

    KSE800三極管、KSE800晶體管、KSE800晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    MJE800,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    KSE800STSSTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 30mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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