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KSE2955

General Purpose and Switching Applications

GeneralPurposeandSwitchingApplications ?DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A ?HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSE2955T

General Purpose and Switching Applications

GeneralPurposeandSwitchingApplications ?DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A ?HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSE2955T

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 60V 10A TO220-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KSE2955TTU

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 60V 10A TO220-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KSH2955

GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications

GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) ?ElectricallySimilartoPopularKSE2955T ?DCCurrentGainSpecifiedto10A ?HighCurrentGain-

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSH2955

GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSH2955

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighDCcurrentgain ?Leadformedforsurfacemountapplications(NOsuffix) ?Straightlead(IPAK,“－I”suffix) ?DPAKforsurfacemountapplications ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Gen

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSH2955

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.1V(Max)@IC=-4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSH2955

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.1V(Max)@IC=-4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSH2955TF

GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    KSE2955

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT PNP Silicon

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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原裝正品現(xiàn)貨
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更多KSE2955供應(yīng)商 更新時間2025-4-1 17:55:00

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