KSD526Y 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
KSD526Y
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
生產廠商：
ON
庫存數(shù)量：
3675
產品封裝：
TO220-3
生產批號：
1809+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2021-9-14 10:50:00

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原廠料號：KSD526Y品牌：ON

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KSD526Y是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON/onsemi生產封裝TO220-3/TO-220-3的KSD526Y晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
KSD526Y
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
FAIRCHILD【仙童半導體】詳情
廠商全稱：
Fairchild Semiconductor
中文名稱：
飛兆/仙童半導體公司
內容頁數(shù)：
4 頁
文件大?。?/span>
182.8 kb
資料說明：
NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Applications

產品屬性

類型
描述
產品編號：
KSD526Y
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
管件
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 300mA，3A
電流 - 集電極截止（最大值）：
30μA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，5V
頻率 - 躍遷：
8MHz
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 80V 4A TO220-3

供應商

企業(yè)：
深圳市科雨電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
汪小姐
手機：
17147291886
詢價：
電話：
151-7354-7089
地址：
深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2418室

KSD526Y 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

KSD526Y

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