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KSC5502D分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

KSC5502D
廠商型號

KSC5502D

參數(shù)屬性

KSC5502D 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 600V 2A TO220-3

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

278.8 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-6 21:02:00

KSC5502D規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 1200V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= 0.6V(Max) @IC= 0.4A

APPLICATIONS

· Low frequency amplifier

產品屬性

  • 產品編號:

    KSC5502DTTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 200mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    4 @ 1A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    11MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 600V 2A TO220-3

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