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KSB546分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

KSB546
廠商型號(hào)

KSB546
參數(shù)屬性

KSB546 封裝/外殼為T(mén)O-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 150V 2A TO220-3
功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

272.57 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無(wú)錫固電】

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-9 11:32:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    KSB546

  • 別名：

    KSB546三極管、KSB546晶體管、KSB546晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SA839,2SA843,2SA957,2SA958,2SB528,2SB546,2SB719,2SB720,

  • 最大耗散功率：

    25W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-92

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    25

KSB546規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -150V(Min)

·Collector Power Dissipation-

: PC= 25 W@ TC= 25℃

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.0V(Max)@ (IC= -0.5A, IB= -0.05A)

·Complement to Type KSD2012

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for general purpose applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    KSB546Y

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 400mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    5MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS PNP 150V 2A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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