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KI1N60DS	文件：1.09478 Mbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KSMD1N60	文件：724.36 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD1N60C	文件：2.10531 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU1N60	文件：721.96 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU1N60C	文件：2.10531 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KX1N60DS	文件：1.85527 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
L1N60A	文件：666.59 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
L1N60Z	文件：113.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MDZ1N60UMH	文件：302.34 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,0.4A	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MIP1N60	文件：1.03324 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MIP1N60E	文件：1.03324 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MO1N60	文件：1.08604 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MSU1N60	文件：432.11 Kbytes Page：4 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTA1N60E	文件：854.58 Kbytes Page：13 Pages	FULLYISOLATEDTMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD1N60E	文件：266.59 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERE600VOLTSRDS(on)=8.0OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD1N60E	文件：346.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP1N60	文件：175.09 Kbytes Page：5 Pages	PowerFieldEffectTransisterN-ChannelEnhancementModeSiliconGate PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimesSpecif	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP1N60	文件：116.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor ?DESCRITION ?Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. ?FEATURES ?DrainCurrent-ID=1A@TC=25°C ?DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=8Ω(Max) ?AvalancheEnergySpecified ?FastSwitching ?SimpleDriveRequirements	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP1N60	文件：301.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP1N60E	文件：232.59 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=8.0OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	Motorola Motorola, Inc	Motorola

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更多KI1N60DS供應商更新時間2024-10-24 9:00:00

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