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KHB9D0N50P1中文資料KEC數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

KHB9D0N50P1
廠商型號

KHB9D0N50P1

功能描述

N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

449.76 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 KEC CORPORATION
企業(yè)簡稱

KEC

中文名稱

KEC株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 23:00:00

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KHB9D0N50P1規(guī)格書詳情

General Description

This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies.

FEATURES

? VDSS(Min.)= 500V, ID= 9A

? Drain-Source ON Resistance :

RDS(ON)=0.8Ω @VGS =10V

? Qg(typ.) =34.6nC

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    KHB9D0N50P1

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全稱:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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