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KF4N65F	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65FM	文件：390.04 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65FM_15	文件：390.04 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65P	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65P	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65P	文件：1.08668 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KF4N65P/F	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65PF	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KSM4N65	文件：708.19 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB4N65	文件：709.41 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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KSMU4N65	文件：710.7 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LM4N65CP	文件：3.88466 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LMAK4N65	文件：4.10335 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LMPI4N65	文件：805.41 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MDF4N65B	文件：764.16 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,4.0A,2.2ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI4N65B	文件：1.07589 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDIS4N65B	文件：920.42 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,3.65A,2.2ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MS4N65	文件：667.1 Kbytes Page：6 Pages	LowOnResistance	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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更多KF4N65F供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 10:21:00

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