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KF3N50DZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50DZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50DZ	文件：1.07628 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
KF3N50DZ/IZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50DZIZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50DZ_15	文件：388.52 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50DZ-IZ_15	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50FS	文件：86.24 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50FZ	文件：73.66 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50FZ	文件：86.24 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50IZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KSMD3N50C	文件：1.68729 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3N50C	文件：1.68729 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MDD3N50G	文件：1.033099 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD3N50GRH	文件：352.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MDD3N50GRH	文件：1.033099 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF3N50	文件：769.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MTP3N50	文件：301.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP3N50	文件：251.87 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffer	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP3N50	文件：1.08664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
KF3N50DZ
制造商：
KEC
制造商全稱：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳兆威電子有限公司	KF3N50DZ	VB	2019	TO-252	55000	絕對原裝正品假一罰十!	詢價
深圳市新力誠科技有限公司	KF3N50DZ	KEC	2020+	TO-252	39380	公司代理品牌,原裝現(xiàn)貨超低價清倉!	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	KF3N50DZ	K	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	KF3N50DZ	KEC	2022+	SOT252	31440	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	KF3N50DZ	K	23+	TO-252	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	KF3N50DZ	K	22+	TO-252	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市恒諾芯科技有限公司	KF3N50DZ		2322+	NA	33220	無敵價格主銷品牌正規(guī)渠道訂貨免費送樣!!!	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	KF3N50DZ	KEC	23+	SOT252	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	KF3N50DZ	K	24+	TO-252	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	KF3N50DZFQD3N51C	FAIRCHILD	2023+	SOT-252	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價

更多KF3N50DZ供應商更新時間2024-10-24 11:30:00

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