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K4A60DB中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	K4A60DB
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
文件大小	261.5 Kbytes
頁面數(shù)量	6 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-4-7 20:49:00
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Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6Ω(typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.2 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600V)

? Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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