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K10A50D中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

K10A50D
廠商型號(hào)

K10A50D

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

文件大小

205.01 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-7 22:58:00

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K10A50D規(guī)格書詳情

Official Site : http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK10A50D&lang=en

? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.62 ?(typ.)

? High forward transfer admittance: ?Yfs?= 5.0 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 500 V)

? Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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