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JTDB75

75 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz

GENERALDESCRIPTION TheJTDB75isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandoutputprematchforb

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JTDB75

75 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz

[GHzTechnologyInc.] GENERALDESCRIPTION TheJTDB75isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputa

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JTDB75

High power COMMON BASE bipolar transistor.

GENERALDESCRIPTION TheJTDB75isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandoutputprematchfor

GHZTECH

GHz Technology

JTDB75

Package：55AW；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    JTDB75

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    55V

  • 頻率 - 躍遷：

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益：

    7dB ~ 8.2dB

  • 功率 - 最大值：

    220W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 1A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    8A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55AW

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55AW

  • 描述：

    RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
GHZ
23+
1688
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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GHZTECH
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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24+
140
現(xiàn)貨供應(yīng)
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55AW
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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Microsemi Corporation
25+
55AW
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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XP
23+
DIP
13000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
XP
23
DIP
55000
原廠渠道原裝正品假一賠十
 詢價
更多JTDB75供應(yīng)商 更新時間2025-4-24 10:30:00

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